空切發(fā)生的原因：

　　1、粘著面不清潔。

　　2、膠帶與被粘著面粘力不足。
 

粘著面不清潔的解決方法：
 

　　一般使用者遇到空切的問題時(shí)，通常都只考慮到粘力不足，不常考慮到圓晶片背面與基板貼合面的狀態(tài)，清洗貼合面有助于增加膠帶的貼合面，通常使用的清洗方法大致有兩種：

　　1、超聲波清洗。

　　2、電將清洗。
 

膠帶與被粘著面粘力不足

　　通常粘力=（膠帶與晶片的接觸面積）×（膠帶對晶圓或基板背面的粘度）

　　所以當(dāng)晶片越小，或是膠帶粘度低時(shí)會產(chǎn)生空切的機(jī)會說越多。
 

針對空切的解決方法：
 

　　1、選用粘度較大而解卷力又不太高的膠帶。

　　2、增加膠帶與晶片背面的接觸面積（貼合之后固化）。

　　為了增加膠帶與晶圓的接觸面積，可分為預(yù)固化（預(yù)熱）與貼合之后烘烤兩種，預(yù)固化主要是在貼合之前利用晶圓夾具臺加溫，達(dá)到膠帶貼合到晶圓時(shí)膠帶的膠層稍微軟化，達(dá)到較好的貼合效果。

　　貼合之后的烘烤，主要是預(yù)固化的效果沒有達(dá)到的需要的粘力，所以用此方法，預(yù)防在劃片過程中發(fā)生空切現(xiàn)象。

 

膠帶的化學(xué)特性
 

　　晶圓由于在背面研磨后有TTV值的存在，表示并非百分之百的平面，用烤箱烘烤使膠層軟化，以達(dá)到填充晶圓背面的微小凹面，使膠帶與晶圓背面的接觸面增加，以達(dá)到增加粘力的效果。
 

粘著力(gf/20cm)


　　由圖可知，當(dāng)膠層溫度由23℃上升到60℃時(shí)（由A到B），膠層的粘度變小，但膠的流動(dòng)性變大，使膠層比較容易滲入不平整的晶圓背面，以增加接觸面積，當(dāng)晶圓要切割之前，膠層又回到原來的溫度（B到A’），因?yàn)槟z對溫度的變化是一種不可逆的過程，所以A不等于A’。
 

　　烘烤前膠帶與晶圓的粘力=（A的粘度）×（烘烤前膠帶與晶圓的接觸面積）

　　烘烤后膠帶與晶圓的粘力=（A’的粘度）×（烘烤前膠帶與晶圓的接觸面積）
 

　　由于并非長時(shí)間烘烤，所以A的粘度與A’的粘度并不會大幅改變，主要改變粘力的因素在于膠帶與晶圓的接觸面積的增加。

膠帶與晶圓的接觸面積（%）


　　用烘烤的方法增加粘力，基本上有一些限制，當(dāng)膠帶貼合到矽晶圓的背面后以60 ℃熱源烘烤三分鐘其膠帶與晶圓的接觸面積已經(jīng)達(dá)到80%以上，此時(shí)若再繼續(xù)烘烤十分鐘最多增加10%，所以我們可以得出結(jié)論，雖然烤的越久，膠帶與晶圓的接觸面積增加越多所以越粘，但后面的烘烤時(shí)間也會越?jīng)]效率。

 

烘烤的缺點(diǎn)：
 

　　烘烤的目的就是要增加粘性，對解決空切而言當(dāng)然越粘越好，但對于晶片粘合而言， 膠帶越粘，頂針的力量就越大，對晶圓背面留下的傷痕的機(jī)會也越大，所以建議您使用晶圓切割膠帶時(shí)，如果晶片的尺寸小于2mm×2mm，或是您有如上述頂針刮痕的問題，我們建議使用UV膜膠帶。

　　(2) 對晶片而言,切割邊就是最后一個(gè)支撐邊,如果沒有很優(yōu)良的膠帶做為切割平臺, 晶圓很容易發(fā)生碎屑。

　　制造誤差越小，膠帶的表面越平整，碎屑的問題就越小。

　　解決方法：如果使用一般的膠帶，那么建議使用電子級的膠帶。

　　3、刀具切入膠帶的深度


　　基本上,刀具穿晶圓后切入膠帶的深度越大，越不容易碎屑，但是也不能切的太深。

　　1、使用膠帶厚度較厚，同樣是PVC基材的膠帶。

　　2、使用相同厚度的膠帶，但其基材必須為不可擴(kuò)展的(Non-Expandable Base Film)膠帶。

　　4、切割平臺

　　切割(劃片)時(shí)會碎屑的現(xiàn)象，除了以上原因外，最重要的原因在于劃片過程中如何保持晶片不受移動(dòng)是非常重要的，膠層太軟，容易使晶片在劃片過程中晃動(dòng)而產(chǎn)生碎屑。

　　提高膠層硬度，因?yàn)槟z層緊貼著晶圓。在劃片過程中，膠層的作用就等于的切割平臺，切割平臺夠硬，碎屑問題自然改善。